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參數(shù)資料
| 型號： | FP10R06KL4B3V6 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | FP10R06KL4B3V6 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4B3
Gehuseabmessungen Forts. / Package outlines contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP10W90HVX2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
| FP1189-G | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB1900S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB2140S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB900S | 1/2 - Watt HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
| FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06YE3_B4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R12KE3 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100274_IGBT MODULE_TRAYS_RO |
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