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參數(shù)資料
| 型號： | FM2G100US60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | FM2G100US60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
FM2G100US60 Rev. A
F
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100
1000
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.4
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10
100
300
Ton
Tr
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 2.4
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
100
1000
10000
20000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
ΧΧ
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
6
10
100
50
100
1000
3000
Tf
Tf
Toff
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
S
Gate Resistance, R
G
[
]
1
10
100
50
100
1000
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 100A
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Ton
Tr
S
Gate Resistance, R
G
[
]
0.5
1
10
30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FM302 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
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