參數(shù)資料
型號： FM2G100US60
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 400A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c）
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 712K
代理商： FM2G100US60
2000 Fairchild Semiconductor International
FM2G100US60 Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.9
1.8
90
130
9
12
405
780
Max.
2.8
--
130
--
12
--
790
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 100A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 100A
di / dt = 200 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
Weight
Parameter
Typ.
--
--
0.05
--
Max.
0.31
0.7
--
190
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
g
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/2 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/2 Module)
Case-to-Sink (Conductive grease applied)
Weight of Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FM2G50US60 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
FM2G75US60 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C)
FM301 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
FM302 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
FM303 SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes)
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參數(shù)描述
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FM2G300US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FM2G400US60 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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