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參數(shù)資料
| 型號： | FM2G100US60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 600V的五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c） |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | FM2G100US60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
FM2G100US60 Rev. A
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
200A
100A
I
C
= 50A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
200A
100A
I
C
= 50A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
20
40
60
80
100
120
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 130W
V
CC
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
200A
100A
I
C
= 50A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0
2
4
6
8
0
30
60
90
120
150
180
210
240
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FM302 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
| FM303 | SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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