參數(shù)資料
型號(hào): FJA3835
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Power Amplifier
中文描述: 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商: FJA3835
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
I
B
= 35mA
I
B
= 10mA
I
B
= 5mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 4V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
= 10 I
B
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
I
C
= 10 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
T
C
=25[
o
C]
100ms
I
C
MAX. (DC)
10ms
I
C
MAX. (Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
140
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJA4210 PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJA4213 Audio Power Amplifier
FJA4310 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJA4313 Audio Power Amplifier
FJAF4210 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; Connector Shell Size:10SL; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJA3835TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4210 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJA4210OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4210RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4210YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2