參數(shù)資料
型號(hào)： FJA4210
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 54K
代理商： FJA4210
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, June 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
* Pulse Test : PW=20
μ
s
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Value
-200
-140
-6
-10
-1.5
100
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=-5mA, I
E
=0
I
C
=-50mA, R
BE
=
∞
I
E
=-5mA, I
C
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
V
EB
=-6V, I
C
=0
V
CE
=-4V, I
C
=-3A
I
C
=-5A, I
B
=-0.5A
V
CB
=-10V, f=1MHz
V
CE
=-5V, I
C
=-1A
Min.
-200
-140
-6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-10
-10
180
-0.5
*
DC Current Gain
50
V
pF
MHz
400
30
Current Gain Bandwidth Product
R
O
Y
50 ~ 100
70 ~ 140
90 ~ 180
FJA4210
Audio Power Amplifier
High Current Capability : I
C
= -10A
High Power Dissipation
Wide S.O.A
Complement to FJA4310
TO-3P
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJA4213 Audio Power Amplifier
FJA4310 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJA4313 Audio Power Amplifier
FJAF4210 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; Connector Shell Size:10SL; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket
FJAF4210O BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJA4210OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4210RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4210YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4213 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJA4213OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*