參數(shù)資料
型號： FJA4213
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Audio Power Amplifier
中文描述： 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： FJA4213
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, March 2003
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test : PW=20us
*h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-230
-230
-5
-15
-1.5
130
150
- 50 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Test Condition
I
C
=-5mA, I
E
I
C
=-10mA, R
BE
=
∞
I
E
=-5mA, I
C
=0
V
CB
=-230V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-1A
V
CE
=-5V, I
C
=-7A
I
C
=-8A, I
B
=-0.8A
V
CE
=-5V, I
C
=-7A
V
CE
=-5V, I
C
=-1A
V
CB
=-10V, f=1MHz
Min.
-230
-230
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
-5.0
-5.0
160
55
35
60
-0.4
-1.0
30
360
-3.0
-1.5
V
V
MHz
pF
R
O
h
FE1
55 ~ 110
80 ~ 160
1.Base 2.Collector 3.Emitter
FJA4213
Audio Power Amplifier
High Current Capability I
C
= -15A
High Power Dissipation
Wide S.O.A
Complement to FJA4313
TO-3P
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJA4310 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJA4313 Audio Power Amplifier
FJAF4210 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; Connector Shell Size:10SL; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket
FJAF4210O BJT
FJAF4210R BJT
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參數(shù)描述
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FJA4213RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4310 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
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