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參數(shù)資料
| 型號： | FII50-12E |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPT IGBT phaseleg |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS, I4PAC-5 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | FII50-12E |
4 - 4
2003 IXYS All rights reserved
FII 50-12E
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11
Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
Fig. 12
Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
0
10
20
30
40
50
60
70
0
200
400
600
800
-di
F
/dt [A/μs]
1000
1200
1400
1600
1800
I
R
0
50
100
150
200
250
300
350
t
r
R
G
=
I
RM
t
RR
0
2
4
6
8
10
12
0
200
400
600
800
-di
F
/dt [A/μs]
1000
1200
1400
1600
1800
Q
r
I
F
=
R
G
=
75
56
39
24
15
7,5A
70A
50A
35A
15A
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
T
VJ
= 125°C
I
F
= 30 A
V
R
= 600 V
T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ns
100
0
20
40
60
80
0
2
4
6
0
200
400
600
800
1000
1200
ns
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
0
40
80
120
160
E
off
t
d(off)
t
f
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
I
C
A
E
off
E
on
t
t
R
G
R
G
mJ
E
on
mJ
E
off
ns
t
ns
t
mJ
mJ
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 35 A
T
VJ
= 125°C
Eon
tr
td(on)
Eon
tr
td(on)
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 39
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 35 A
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 39
T
VJ
= 125°C
E
rec(off)
E
rec(off)
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PDF描述 |
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