參數(shù)資料
型號(hào)： FII50-12E
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPT IGBT phaseleg
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS, I4PAC-5
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： FII50-12E
3 - 4
2003 IXYS All rights reserved
FII 50-12E
Fig. 1 Typ. output characteristics
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. transient thermal impedance
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
120
A
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80
120
160
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15
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4
5
6
7
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20
40
60
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120
A
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
nC
Q
G
V
V
GE
9 V
11 V
9 V
11 V
4
6
8
10
12
14
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40
60
80
100
120
A
V
V
GE
I
C
0
1
2
3
4
0
15
30
45
60
75
90
A
V
V
F
I
F
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
single pulse
t
s
K/W
Z
thJC
IGBT
MUBW3512E7
13 V
15 V
T
VJ
= 25°C
V
GE
= 17 V
15 V
13 V
T
VJ
= 125°C
V
GE
= 17 V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 20 V
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
V
CE
= 600 V
I
C
= 35 A
diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FIP11B13B FIP13Y8A
FIP11F10 FIP13Y8A
FIP13Y8A FIP13Y8A
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