參數(shù)資料
型號： FHX35LG
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Low Noise HEMT
中文描述： KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： FHX35LG
2
FHX35X/002
FHX35LG/002
Low Noise HEMT
Fig. 1 Drain Current vs. Drain-Source Voltage
Drain-source Voltage (V)
D
0
10
20
30
40
VGS=0V
-0.2V
FHX35LG/002
FHX35X/002
-0.4V
-0.6V
-0.8V
-1.0V
1
2
3
Fig. 2 Gate-Source Capacitance
vs. Drain-Source Current
Drain-Source Current (mA)
G
0.2
0.4
0.3
0.5
10
20
30
VDS=3V
Fig. 3 Transconductance vs.
Gate-Source Voltage
Gate-Source Voltage (V)
T
Fig. 4 Gate-Source Leakage Current
vs. Gate-Source Voltage
VDS=2V
20
40
60
80
-0.2
0
0
-0.4
-0.6
-0.8
Gate-Source Voltage (V)
G
5
10
20
50
-1.0
-2.0
-3.0
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PDF描述
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參數(shù)描述
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