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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FHX06LG |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Super Low Noise HEMT |
| 中文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE LG, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | FHX06LG |
2
FHX04LG, 05LG, 06LG
Super Low Noise HEMT
Gas
LG
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
40
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
f=12GHz
VDS=2V
Gain Matched
IDS=15mA
Noise Figure Matched
IDS=10mA
-10
-5
0
5
1
2
3
4
Input Power (dBm)
Drain-Source Voltage (V)
30
20
0
10
10
15
5
0
D
O
NF & Gas vs. TEMPERATURE
FHX04LG
f=12GHz
VDS=2V
IDS=10mA
100
200
0
300
400
Ambient Temperature (
°
K)
1.5
1.0
0.5
15
10
5
N
NF & Gas vs. IDS
FHX04LG
3
f=12GHz
VDS=2V
VDS=2V
IDS=10mA
2
1
00
12
10
8
7
9
11
10
20
30
Drain Current (mA)
N
A
POWER DERATING CURVE
NF & Gas vs. FREQUENCY
FHX04LG
100
150
50
200
0
0
2
1
3
4
0
10
5
15
20
0
50
100
150
200
0
4
6
8
1012
20
Ambient Temperature (
°
C)
Frequency (GHz)
T
N
A
VGS =0V
-0.2V
-0.6V
-0.8V
NF
Gas
NF
Gas
NF
-0.4V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FHX35LG | Low Noise HEMT |
| FHX35X | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FIC03272 | Microprocessor for handling signals from the TGS4161 carbon dioxide sensor |
| FID-550 | Resistive Touch Panel Specification |
| FID3Z1KX | 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FHX06X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:GaAs FET & HEMT Chips |
| FHX13LG | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:GaAs HEMTs, BS/CS LNA, 0.45dB, 12GHz, Bulk |
| FHX13X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:GaAs FET & HEMT Chips |
| FHX14LG | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:GaAs HEMTs, BS/CS LNA, 0.55dB, 12GHz, Bulk |
| FHX14X | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:GaAs FET & HEMT Chips |
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