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參數(shù)資料
| 型號： | FGS15N40L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | SOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | FGS15N40L |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGS15N40L Rev. A1
F
Fig 7. Collector Current Limit Vs
Gate - Emitter Voltage Limit
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
C
C
Gate-Emitter Voltage,V
GE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGW15N40A | Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT |
| FH1100 | SILICON DIODE |
| FHN2-T238 | High Stability Extremely Low Ohm Rating |
| FHR2-T238 | High Stability Extremely Low Ohm Rating |
| FHR2-T2381R1G | High Stability Extremely Low Ohm Rating |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGS15N40LTF | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch/400V/130A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGS15N40LTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGS16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FGS17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FGS2-44-10/I | 制造商:Schurter Electronic Components 功能描述: |
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