參數(shù)資料
型號(hào)： FGS15N40L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Electrical Characteristics of IGBT
中文描述： 400 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： SOP-8
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： FGS15N40L
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FGS15N40L Rev. A1
F
Fig 2. Saturation Voltage vs. Case Temerature
at Variant Current Level
Fig 1. Typical Output Chacracteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 4. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Capacitance Characteristics
-50
0
50
100
150
2
3
4
5
6
7
Common Emitter
V
GE
=4.0V
Ic=130A
Ic=100A
Ic=70A
C
Case Temperature,T
C
[
℃
]
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
130A
100A
I
C
=70A
Common Emitter
T
C
=-40
℃
C
C
Gate-Emitter Voltage ,V
GE
[V]
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
130A
100A
I
C
=70A
Common Emitter
T
C
=25
℃
C
C
Gate-Emitter Voltage ,V
GE
[V]
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
130A
100A
I
C
=70A
Common Emitter
T
C
=150
℃
C
C
Gate-Emitter Voltage ,V
GE
[V]
0
10
20
30
40
10
100
1000
10000
Common Emitter
V
GE
=0V f=1MHz T
C
=25
℃
Cres
Coes
Cies
C
Collector-Emitter Voltage,V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
30
60
90
120
150
180
6V
4V
5V
V
GE
= 3V
Commom Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGW15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FH1100 SILICON DIODE
FHN2-T238 High Stability Extremely Low Ohm Rating
FHR2-T238 High Stability Extremely Low Ohm Rating
FHR2-T2381R1G High Stability Extremely Low Ohm Rating
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參數(shù)描述
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FGS15N40LTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGS16 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FGS17 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
FGS2-44-10/I 制造商:Schurter Electronic Components 功能描述:
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