參數(shù)資料
型號(hào)： FGL60N100D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： Electrical Characteristics of IGBT
中文描述： 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 438K
代理商： FGL60N100D
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage, V
FM
[V]
F
F
[
0
40
80
120
160
200
240
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
rr
t
rr
I
F
=60A
T
C
=25
℃
di/dt [A/
]
R
r
0
20
40
60
80
100
120
R
r
Fig 14. Reverse Recovery Characteristics
vs. di/dt
Fig 13. Forward Characteristics
Fig 15. Reverse Recovery Characteristics vs.
Forward Current
Fig 16. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig 17. Junction capacitance
10
20
30
40
50
60
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
rr
t
rr
Forward Current, I
F
[A]
R
r
4
6
8
10
12
di/dt=-20A/
T
C
=25
℃
R
r
0
300
600
900
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
C
= 150
℃
T
C
= 25
℃
R
R
Reverse Voltage, V
R
[V]
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
T
C
= 25
℃
C
j
Reverse Voltage, V
R
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000FX-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
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參數(shù)描述
FGL60N100DTU 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N170D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGLD12SR6040A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4.5-14.4Vdc Input, 40A, 0.45-2.0Vdc Output
FGLD12SR6040NA 制造商:FDK America 功能描述:DC/DC CONVERTER 0.6-2V 40A 80W
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