參數(shù)資料
型號： FGL60N100D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Electrical Characteristics of IGBT
中文描述： 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 438K
代理商： FGL60N100D
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
-50
0
50
100
150
1
2
3
I
C
=10A
30A
60A
80A
Common Emitter
V
GE
=15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
= - 40
O
C
I
C
=10A
80A
60A
30A
C
C
[
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Varient Current Level
Fig 4. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
Common Emitter
T
C
=25
℃
V
GE
=6V
7V
15V
10V
9V
8V
20V
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
1
2
3
4
0
20
40
60
80
100
Common Emitter
V
GE
=15V
25
℃
125
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
=125
℃
I
C
=10A
80A
60A
30A
C
C
[
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
=25
℃
I
C
=10A
80A
60A
30A
C
C
[
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
相關PDF資料
PDF描述
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000FX-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FGL60N170D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGLD12SR6040A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4.5-14.4Vdc Input, 40A, 0.45-2.0Vdc Output
FGLD12SR6040NA 制造商:FDK America 功能描述:DC/DC CONVERTER 0.6-2V 40A 80W
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