參數(shù)資料
型號(hào)： FGL40N150D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Electrical Characteristics of the IGBT
中文描述： 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： FGL40N150D
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 3mA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1500
--
--
--
--
--
--
V
3.0
± 100
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 40mA, V
CE
= V
GE
3.5
5.0
7.5
V
V
CE(sat)
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
2.5
3.5
4.5
V
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
2450
220
75
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600 V, I
C
= 40A,
R
G
= 51
, V
GE
= 15V,
Resistive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
100
350
200
100
110
15
40
200
700
400
300
170
25
60
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
CE
= 600 V, I
C
= 40A,
V
GE
= 15V
Symbol
V
FM
t
rr
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
Typ.
1.3
170
Max.
1.8
300
Units
V
ns
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 10A
I
F
= 10A, di/dt = 200A/us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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FGL40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:
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FGL60N100BNTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N100D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
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