參數(shù)資料
型號(hào): FF800R17KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-inverter
中文描述: 1150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-10
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 216K
代理商: FF800R17KE3
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF800R17KE3
prepared by: Martin Wlz
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-4-10
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (I)
Róò = 1,8 , V = 900 V, TY = 125°C
I [A]
E
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
Etê
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
Etê = f (R)
I = 800 A, V = 900 V, TY = 125°C
R []
E
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
Etê
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
1
10
100
Zúì : Diode
i:
rí[K/kW]:
í[s]:
τ
1
22,4
0,02
2
22,4
0,06
3
12,8
0,1
4
6,4
0,3
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