參數(shù)資料
型號： FF800R17KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-inverter
中文描述： 1150 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-10
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 216K
代理商： FF800R17KE3
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF800R17KE3
prepared by: Martin Wlz
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-4-10
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TY = 25°C
V￠
1700
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
800
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t = 1 ms
I￠
1600
A
Grenzlastintegral
I2t - value
V = 0 V, t = 10 ms, TY = 125°C
I2t
105
kA2s
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlassspannung
forward voltage
min.
typ.
max.
I = 800 A, V = 0 V, TY = 25°C
I = 800 A, V = 0 V, TY = 125°C
V
1,80
1,90
2,20
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I = 800 A, - di/dt = 4800 A/μs
V = 900 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 900 V, V = -15 V, TY = 125°C
I￠
765
910
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I = 800 A, -di/dt = 4800 A/μs
V = 900 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 900 V, V = -15 V, TY = 125°C
Q
195
340
μC
μC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I = 800 A, -di/dt = 4800 A/μs
V = 900 V, V = -15 V, TY = 25°C
V = 900 V, V = -15 V, TY = 125°C
Etê
125
225
mJ
mJ
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
Rúì
64,0 K/kW
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
39,0
K/kW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
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