參數(shù)資料
型號(hào): FF4R12K4
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 184K
代理商: FF4R12K4
FF 400 R12 KF4
FF400R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 3
übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
v
GE
[V]
5
6
7
8
9
10
11
12
0
t
=
125 °C
25 °C
FF400R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 4
Rückwrts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
t
vj
= 125 °C, v
LF
= v
LR
= 15 V, R
G
= 3,6
v
CE
[V]
0
0
400
600
800
1000
200
1200
1000
1400
200
400
600
800
FF400R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
= 15V
vj
= 25 °C
-----T
v
CE
[V]
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
200
800
400
600
FF400R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
t
vj
= 125 °C
v
CE
[V]
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
8 V
9 V
10 V
12 V
15 V
V
GE
= 20 V
100
300
500
700
200
800
400
600
100
300
500
700
200
800
400
600
100
300
500
700
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF4R16K4 IGBT Module
FF50R12KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KF2 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R12KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R06KF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
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參數(shù)描述
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FF50R06KF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3
FF50R06KF2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3