型號(hào): | FF50R12KL |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 50A條一(c)|米:HL080HD5.3 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 95K |
代理商: | FF50R12KL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FF50R06KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R06KF3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R06KL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R06KL2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FF50R12RT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF50U60M1PWD | 功能描述:MOSFET 600V/50a FRD/ IGBT CO PaK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FF5-21-DC-03 | 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) 2NC/1NO 24Vdc 0.3A Non-Contact Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
FF5-21-DC-03-SS | 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) 2NC/1NO 24Vdc 0.3A Non-Contact Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |
FF5-21-DC-10 | 功能描述:基本/快動(dòng)開關(guān) 2NC/1NO 24Vdc 0.3A Non-Contact Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:SPDT 執(zhí)行器:Lever 電流額定值:5 A 電壓額定值 AC:250 V 電壓額定值 DC:30 V 功率額定值: 工作力:120 g IP 等級(jí):IP 67 NEMA 額定值: 端接類型:Wire 安裝:Panel |