參數(shù)資料
型號： FDZ2554P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
中文描述： 6.5 A, 20 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-18
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： FDZ2554P
FDZ2554P Rev C5 (W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= - 4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
5
10
15
20
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-4.0V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
25
50
75
100
125
150
R
D
,
I
D
= -6.5A
V
GS
= -4.5V
0.01
0.03
0.05
0.07
0.09
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -3.2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ298N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ299P LED, RT ANGLE, BLUE, SM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ2554P_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2554P_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2554PZ 功能描述:MOSFET 20/12V P-Ch Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2554PZ_Q 功能描述:MOSFET 20/12V P-Ch Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ27064N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*