參數(shù)資料
型號： FDW2520C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CAP CER 82000PF 100V 10% X7R1210
中文描述： 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： FDW2520C
FDW2520C Rev C(W)
Typical Characteristics: Q2
0
10
20
30
0
1
2
3
– V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
–
D
,
-4.0V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
25
30
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-4.0V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -4.4A
V
GS
= - 4.5V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4.4 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
V
DS
= - 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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