參數(shù)資料
型號(hào)： FDW2520C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAP CER 82000PF 100V 10% X7R1210
中文描述： 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 124K
代理商： FDW2520C
FDW2520C Rev C(W)
Typical Characteristics: Q1
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
100
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.0001
20
40
60
80
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208 °C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FDW2520C_Q 功能描述:MOSFET PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2521C 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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