參數(shù)資料
型號(hào)： FDW2515N
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 共漏N溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： FDW2515N
FDW2515NZ Rev C
Typical Characteristics
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.5V
2.5V
2.0V
V
GS
= 10.0V
1.5V
3.0V
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
3.5V
3.0V
4.5V
2.5V
10.0V
6.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 2.9A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDW2515NZ CAP CER 68000PF 100V 10% X7R1210
FDW2516NZ Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
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FDW2520C CAP CER 82000PF 100V 10% X7R1210
FDW2521C Complementary PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDW2516NZ 功能描述:MOSFET Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench ® MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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