參數(shù)資料
型號： FDU8878
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 35 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： FDU8878
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8878 / FDU8878 Rev. A3
January 2005
www.fairchildsemi.com
F
1
FDD8878 / FDU8878
N-Channel PowerTrench
MOSFET
30V, 40A, 15m
Features
r
DS(ON)
= 15m
, V
GS
= 10V, I
D
= 35A
r
DS(ON)
= 18.5m
, V
GS
= 4.5V, I
D
= 35A
High performance trench technology for extremely low
r
DS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
Applications
DC/DC converters
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
r
DS(ON)
and fast switching speed.
D
G
S
G D S
I-PAK
(TO-251AA)
G
S
D
D-PAK
(TO-252)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD8878 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU8880 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m
FDU8882 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8882 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8882_NL N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
FDU8878_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm
FDU8880 功能描述:MOSFET 30V 58A 10 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDU8880_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDU8882 功能描述:MOSFET 30V 55A 11 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDU8882_NL 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
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