參數(shù)資料
型號(hào)： FDS9933A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 3.8 A, 20 V, 0.075 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 191K
代理商： FDS9933A
F
FDS9933A Rev. C
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Typical Characteristics
(continued)
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
-V , DRAIN T O SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5 V
-15 V
I = -3.8A
-10 V
0 .1
0 .3
1
2
5
10
30
0.01
0.05
0 .5
3
10
50
- V , DRA IN-SO URCE V OLTA GE (V)
-
RDS(ON)LMIT
D
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V =-4.5V
SINGL E PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
100us
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
S INGLE P ULS E TIME (S EC)
P
SINGLE PUL SE
R =13 5°C/W
T = 2 5°C
A
JA
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0001
0.01
0.1
t TIME sec)
1
10
100
300
0001
0002
0005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S in g l e P ul s e
D =0.5
0.1
005
002
001
0.2
D u t y C y cl e, D = t t
1
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
R t) = r( t R
R =
135
°C/W
JA
JA
JA
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PDF描述
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