參數(shù)資料
型號： FDS9431A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified MOSFET
中文描述： 3500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDS9431A
F
FDS9431A Rev. A2
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Typical Characteristics
(continued)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Qg, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -1.6A
V
DS
= -5V
-15V
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
1
10
100
1000
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.0001
0.001
001
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
001
02
D u t y C y c l e, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
-V , DRAIN T O SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0 .1
0 .3
1
2
5
10
30
0.01
0.05
0 .5
3
10
50
- V , DRAIN-SO URCE VOLTAGE (V)
-
RDS(ON)LMIT
D
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
V =-4.5V
R = 135
°
C/W
T = 25
°
C
T
A
°
C
100us
V
GS
SINGLE PULSE
R
θ
JA
°
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PDF描述
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FDS9435A_Q 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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