參數(shù)資料
型號(hào)： FDS8947A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 4 A, 30 V, 0.052 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： FDS8947A
FDS8947A Rev.B
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
-15V
I = -4.0A
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
20
50
-
RDS(ON) LIMIT
D
A
-V = -10V
SINGLE PULSE
R = 135°C/W
T = 25°C
JA
DC
1s
100ms
10ms
1ms
10s
100us
0.01
0.1
0.5
1
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R =See Note 1C
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
2000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FDS8958 Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8960C Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS8978 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS8949 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
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FDS8958 功能描述:MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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