參數(shù)資料
型號： FDS8878
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 10.2 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 634K
代理商： FDS8878
F
FDS8878 Rev. A1
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
R
θ
JA
=50
o
C/W
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0
3
6
9
12
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
1000
5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
V
GS
= 4.5V
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PDF描述
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FDS8880 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process
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