參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6815
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述： 5.5 A, 20 V, 0.04 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： FDS6815
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6892AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892 Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6892A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
FDS6875 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6875 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SO-8
FDS6890A 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6890A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8
FDS6892 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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