參數(shù)資料
型號(hào)： FDS4559
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V Complementary PowerTrench MOSFET
中文描述： 4.5 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SO-8, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 147K
代理商： FDS4559
FDS4559 Rev C1(W)
Typical Characteristics: Q1
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
10V
5.0V
4.5V
6.0V
8.0V
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 4.5A
V
GS
= 10V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 2.3A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
1
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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