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參數(shù)資料
| 型號： | FDS4410 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | FDS4410 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4435 | P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS4435A | P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET |
| FDS4435BZ | 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4465 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS4470 | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS4410_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N |
| FDS4410A | 功能描述:MOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS4435 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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