參數(shù)資料
型號： FDS4410
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： FDS4410
FDS4410 Rev.B1
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 10A
10V
15V
V = 5V
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0.1
0.5
1
2
5
10
30
100
200
500
1000
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20 30
50
0.01
0.1
0.5
3
10
30
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
RDS(ON) LIMIT
V = 10V
SINGLE PULSE
R =125°C/W
T = 25°C
A
DC
1s
10ms
100ms
1ms
100us
0.01
0.1
0.5
1
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =125° C/W
T = 25°C
θ
JA
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PDF描述
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