參數(shù)資料
型號： FDS4080N7
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： RELAY, 4PCO, 12VDC; Configuration, contact:4PCO; Voltage, contact DC max:30V; Voltage, coil DC nom:12V; Current, contact AC max:5A; Current, contact DC max:5A; Voltage, contact AC max:250V; Resistance, coil:160R; Material, RoHS Compliant: Yes
中文描述： 13 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： FLMP, SO-8
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 254K
代理商： FDS4080N7
FDS4080N3 Rev C1 (W)
Typical Characteristics
10
0
500
1000
1500
2000
2500
0
10
20
30
40
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 85
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
10s
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 85°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 85 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
0
2
4
6
8
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13 A
V
DS
= 10V
20V
30V
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PDF描述
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