參數(shù)資料
型號(hào)： FDS3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз
中文描述： 7.5 A, 100 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 266K
代理商： FDS3672
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3672 Rev. B
F
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
1000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
C
125
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