參數(shù)資料
型號(hào)： FDS3670
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 1K/BULK
中文描述： 6300 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDS3670
FDS3670 Rev B1 (W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
V
GS
= 10V
5.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
60
I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
5.0V
5.5V 7.0V
10V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 7.2A
V
GS
= 10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
)
I
D
= 3.6A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
60
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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FDS3672 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
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