參數(shù)資料
型號： FDR838P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDR838P
F
FDR838P, Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4: On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0
10
20
30
40
50
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
=-4.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
0
0.012
0.024
0.036
0.048
0.06
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=-4A
T
J
=125
o
C
25
o
C
0
10
20
30
40
50
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
DS
=-5V
T
J
=-55
o
C
25
o
C
125
o
C
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
=-2.0V
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
=0
T
J
=125
o
25
o
C
-55
o
C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNTION TEMPERATUR (
o
C)
R
D
,
D
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