型號: | FDR8305 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210 |
中文描述: | 雙N溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench |
文件頁數(shù): | 8/8頁 |
文件大小: | 215K |
代理商: | FDR8305 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDR8305N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
FDR8308P | CAP CER 1500PF 630VDC U2J 1210 |
FDR8321L | CAP CER 2200PF 630VDC U2J 1210 |
FDR836P | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
FDR838P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDR8305N | 功能描述:MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDR8308P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL -20 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDR8308P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
FDR8309P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDR8321L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |