參數(shù)資料
型號(hào)： FDR8305
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1210
中文描述： 雙N溝道MOSFET的為2.5V指定的PowerTrench
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： FDR8305
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDR8305N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDR8308P CAP CER 1500PF 630VDC U2J 1210
FDR8321L CAP CER 2200PF 630VDC U2J 1210
FDR836P P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDR838P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDR8305N 功能描述:MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8308P 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL -20 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8308P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8
FDR8309P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDR8321L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application
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