參數(shù)資料
型號(hào)： FDPF12N35
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 350V N-Channel MOSFET
中文描述： 12 A, 350 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 797K
代理商： FDPF12N35
6
www.fairchildsemi.com
FDPF12N35 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
- -G a te P u ls e W id t h
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDPF2710T Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 2.7 to 2.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
FDPF33N25 250V N-Channel MOSFET
FDPF39N20 200V N-Channel MOSFET
FDPF44N25 250V N-Channel MOSFET
FDPF44N25T 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
FDPF12N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDPF12N50FT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF12N50NZ 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF12N50NZT 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:UniFET-II™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDPF12N50T 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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