參數(shù)資料
型號： FDPF12N35
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 350V N-Channel MOSFET
中文描述： 12 A, 350 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 797K
代理商： FDPF12N35
3
www.fairchildsemi.com
FDPF12N35 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
12
10
0
10
1
10
2
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250μ s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0
10
1
10
2
150
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250μs Pulse Test
25
I
D
,
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 175V
V
DS
= 280V
V
DS
= 70V
Note : I
D
= 12A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDPF2710T Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 2.7 to 2.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
FDPF33N25 250V N-Channel MOSFET
FDPF39N20 200V N-Channel MOSFET
FDPF44N25 250V N-Channel MOSFET
FDPF44N25T 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDPF12N50 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDPF12N50FT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF12N50NZ 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF12N50NZT 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:UniFET-II™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDPF12N50T 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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