型號: | FDP8030L |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 80 A, 30 V, 0.0035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 10/10頁 |
文件大?。?/td> | 358K |
代理商: | FDP8030L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDB8030L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDP8441 | N-Channel PowerTrench MOSFET (40V, 80A, 2.7mohm) |
FDP8447L | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.7mヘ |
FDP8860 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP8870 | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mз |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDP8030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP80N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP8440 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |