參數(shù)資料
型號： FDP6035L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 58 A, 30 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 413K
代理商： FDP6035L
FDP6035L Rev.B
Typical Electrical Characteristics
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
20
40
60
80
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
7.0
6.0
4.0
4.5
5.0
3.5
V = 10V
3.0
5.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = 10V
I = 26A
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
-55°C
T = 125°C
25°C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate
0
20
40
60
80
100
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
4.5
5.0
10
4.0
6.0 7.0
V =3.5V
5.5
Figure 1. On-Region Characteristics.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
A
25°C
-55°C
V =0V
GS
2
4
6
8
10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25°C
I = 26A
T = 125°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
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PDF描述
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