參數(shù)資料
型號： FDP14AN06LA
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз
中文描述： N溝道的PowerTrench MOSFET的60V的第60A條，14.6mз
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： FDP14AN06LA
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 Rev. B
F
SABER Electrical Model
REV January 2004
template FDP14AN06LA0 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=1.7e-11,rs=2.8e-3,nl=1.05,trs1=1.5e-3,trs2=1e-6,cjo=1e-9,tt=1.9e-8,m=0.58,ikf=15.00,xti=3)
dp..model dbreakmod = (rs=1e-1,trs1=1.12e-3,trs2=1.25e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=8e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.57)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=1.96,kp=8,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=2.42,kp=105,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=1.6,kp=0.04,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4,voff=-3)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-3,voff=-4)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-2.5,voff=-0.5)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-0.5,voff=-2.5)
c.ca n12 n8 = 1.8e-9
c.cb n15 n14 = 1.8e-9
c.cin n6 n8 = 3e-9
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 64.8
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 7.4e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.00e-9
l.lsource n3 n7 = 3e-9
res.rlgate n1 n9 = 74
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 30
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=9.2e-4,tc2=-3.5e-7
res.rdrain n50 n16 = 4.1e-3, tc1=1e-2,tc2=3e-5
res.rgate n9 n20 = 2.7
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=2.8e-3,tc2=1e-7
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 4e-3, tc1=4.0e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-2.7e-3,tc2=-9.5e-6
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-2.3e-3,tc2=1.5e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/200))** 3))
}
18
22
+
-
6
8
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ISCL
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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參數(shù)描述
FDP14AN06LA0 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP14AN06LA0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDP14AN06LA0_Q 功能描述:MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP14G 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP14N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
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