參數(shù)資料
型號： FDP14AN06LA
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз
中文描述： N溝道的PowerTrench MOSFET的60V的第60A條，14.6mз
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： FDP14AN06LA
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0 Rev. B
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDP14AN06LA0 2 1 3 ;
Ca 12 8 1.8e-9
Cb 15 14 1.8e-9
Cin 6 8 3e-9
rev January 2004
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 64.8
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 7.4e-9
Ldrain 2 5 1.00e-9
Lsource 3 7 3e-9
RLgate 1 9 74
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 30
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 4.1e-3
Rgate 9 20 2.7
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 4e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*200),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.7e-11 RS=2.8e-3 N=1.05 TRS1=1.5e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=1e-9 TT=1.9e-8 M=0.58 IKF=15.00 XTI=3)
.model dbreakmod d (RS=1e-1 TRS1=1.12e-3 TRS2=1.25e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=8e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.57)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.96 KP=8 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.42 KP=105 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.6 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=27 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9.2e-4 TC2=-3.55e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1e-2 TC2=3e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.8e-3 TC2=1e-7)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-2.7e-3 TC2=-9.5e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.3e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.5 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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PDF描述
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參數(shù)描述
FDP14AN06LA0 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP14AN06LA0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDP14AN06LA0_Q 功能描述:MOSFET Single N-Ch 60V Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP14G 制造商:ADAM-TECH 制造商全稱:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE
FDP14N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET
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