參數(shù)資料
型號： FDP050AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 18 A, 60 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 564K
代理商： FDP050AN06A0
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 Rev. A
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDB050AN06A0 2 1 3 ; rev February 2003
Ca 12 8 1.5e-9
Cb 15 14 1.5e-9
Cin 6 8 3.75e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 64.8
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 4.7e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.03e-9
RLgate 1 9 47
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 40
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 1.1e-3
Rgate 9 20 1.3
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 2.1e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*250),10))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.3E-11 N=1.04 RS=1.76e-3 TRS1=2.7e-3 TRS2=2e-7
+ CJO=2.7e-9 M=5.4e-1 TT=1e-10 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=8e-1 TRS1=5e-4 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=1.3e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.45)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.7 KP=9 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.3)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.29 KP=155 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.05 KP=0.03 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=13 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9.3e-4 TC2=-5.5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.3e-2 TC2=4e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.8e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.8e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-1.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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