參數(shù)資料
型號(hào)： FDN372S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET
中文描述： 2600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 142K
代理商： FDN372S
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN5618 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP047AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDN372S_F095 制造商:Fairchild 功能描述:30V/16V, 40/50MO, NCH, SYNCFET
FDN372S_Q 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN537N 功能描述:MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN5618 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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