參數(shù)資料
型號(hào)： FDN371N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 2500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： FDN371N
FDN371N Rev C (W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 4.5V
3.5V
2.0V
3.0V
2.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
4.5V
3.0V
2.5V
3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN372S 30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET
FDN5618 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
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參數(shù)描述
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FDN5618 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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