參數(shù)資料
型號(hào)： FDN361AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
中文描述： 1800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 946K
代理商： FDN361AN
F
FDN361AN, Rev. C
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Typical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 1.8A
V = 5V
10V
15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
10
20
50
100
200
500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20 30
50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
I
D
RDS(ON LIMIT
V = 10V
SINGLE PULSE
R =270
°
C/W
T = 25
°
C
DC
1s
10ms
100ms
1ms
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
00
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
100 300
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =270
°
C/W
T = 25
°
C
θ
JA
0.0001
0.001
001
0.1
t , TIME (s ec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 270
°
C/W
T - T = P * R J A
D u t y C y c le, D = t / t
P(pk)
t
1
t
2
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
0.01
02
2
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