參數(shù)資料
型號： FDN359
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的邏輯電平PowerTrenchTM
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： FDN359
SuperSOT
-3 (FS PKG Code 32)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN360 Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDN360P Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN361 N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDN359AN 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN359AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
FDN359AN-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN359AN Series 30 V 0.046 Ohm N-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
FDN359BN 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN359BN"F095 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 0.026OHM 2.7A SUPER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.026OHM, 2.7A, SUPER
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